[发明专利]一种半导体结构在审
| 申请号： | 201810962135.4 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109103181A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李志国 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构，该半导体结构包括：堆叠的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片和第二芯片均包括器件和接地线，所述第一芯片的接地线与第二芯片的接地线电连接；所述第二芯片还包括用于进行信号传输的焊垫，所述焊垫与所述第二芯片的接地线电连接。在静电放电时，无需在半导体结构的静电放电路径上增加局部二极管对附近的器件进行局部保护，而且，用于连接不同芯片上的接地线的连接结构不会增加芯片的寄生电容，所以，本申请提供的半导体结构，能够在不增加芯片版图面积、不增加芯片成本以及不影响高速信号完整性的前提下，提供静电放电保护。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 半导体结构 接地线 电连接 焊垫 静电放电保护 静电放电路径 二极管 高速信号 寄生电容 静电放电 局部保护 连接结构 芯片版图 芯片成本 信号传输 堆叠 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：堆叠的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片和第二芯片均包括器件和接地线，所述第一芯片的接地线与第二芯片的接地线电连接；所述第二芯片还包括用于进行信号传输的焊垫，所述焊垫与所述第二芯片的接地线电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
