[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810962110.4 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858608A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明还提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体器件中形成层间隔离结构，层间隔离结构包括第一部分和第二部分，第一部分位于伪栅结构外侧，第二部分被伪栅结构覆盖，第一部分的侧壁和第二部分的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁顶部和与第一侧壁相邻的鳍部纵截面中轴线之间的距离为l |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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