[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201810962110.4 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858608A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底和鳍部，所述鳍部形成于所述半导体衬底的上方；
金属栅极结构，所述金属栅极结构覆盖部分所述鳍部，所述金属栅极结构包括高k介电层和金属栅极，所述高k介电层设置于所述金属栅极的底部和两侧面；和
层间隔离结构，所述层间隔离结构设置于部分相邻的所述鳍部之间，所述层间隔离结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分的底部高于位于所述鳍部上方的所述高k介电层的顶部，所述第一部分的侧壁和所述第二部分的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁顶部和与所述第一侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离为l1，所述第一侧壁底部和与所述第一侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离为l2，与所述第一侧壁同一侧的所述第二侧壁上的点和与所述第二侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离为l3，l1＞l2≥l3。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，从所述第一侧壁底部到所述第一侧壁顶部，所述第一侧壁上同侧的点和与所述第一侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离增大。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，从所述第一侧壁底部到所述第一侧壁顶部，所述第一部分的纵截面形状呈梯形。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，从所述第一侧壁底部到所述第二侧壁底部，与所述第一侧壁同侧的所述第二侧壁上的点和与所述第二侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离相等。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，从所述第一侧壁底部到所述第二侧壁底部，与所述第一侧壁同侧的所述第二侧壁上的点和与所述第二侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离减小。
6.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上方形成有鳍部；
形成伪栅结构，所述伪栅结构覆盖部分所述鳍部；
形成层间凹槽，所述层间凹槽形成于部分相邻所述鳍部之间的所述伪栅结构中；
在所述层间凹槽中形成层间隔离结构；
刻蚀部分所述伪栅结构，以暴露部分所述层间隔离结构；
刻蚀部分暴露的所述层间隔离结构，余下所述层间隔离结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述伪栅结构外侧，所述第二部分被所述伪栅结构覆盖，所述第一部分的侧壁和所述第二部分的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁顶部和与所述第一侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离为l1，所述第一侧壁底部和与所述第一侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离为l2，与所述第一侧壁同一侧的所述第二侧壁上的点和与所述第二侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离为l3，l1＞l2≥l3；
除去所述伪栅结构以形成沟槽；和
在所述沟槽内形成金属栅极结构。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，从所述第一侧壁底部到所述第一侧壁顶部，所述第一侧壁上同侧的点和与所述第一侧壁相邻的所述鳍部纵截面中轴线之间的距离增大。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，从所述第一侧壁底部到所述第一侧壁顶部，所述第一部分的纵截面形状呈梯形。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀部分暴露的所述层间隔离结构的工艺包括湿法刻蚀工艺。
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