[发明专利]一种具有复合埋层结构的BCD器件

摘要

本发明提供一种具有复合埋层结构的BCD器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明BCD工艺用埋层结构采用了“顶部重掺杂埋层/中间轻掺杂埋层/底部重掺杂埋层”三层复合结构，然后在其上的外延层内部集成相互隔离的BJT区、CMOS区和DMOS区，从而实现了具有复合埋层结构的BCD器件。本发明器件中复合埋层结构相当于是在传统埋层结构中串联一个较大电阻，使得器件在死区时间产生的压降大部分降落在轻掺杂层之上，因此底部重掺杂层与衬底之间的压降得到有效降低，以抑制衬底处寄生三极管的开启，提高器件可靠性。

主权项

1.一种具有复合埋层结构的BCD器件，其特征在于，包括：第二导电类型半导体衬底(1)、设置在第二导电类型半导体衬底(1)上表面的底部第一导电类型半导体重掺杂层(3)、设置在底部第一导电类型半导体重掺杂层(3)上表面的中间第一导电类型半导体轻掺杂层(4)和设置在中间第一导电类型半导体轻掺杂层(4)上表面的顶部第一导电类型半导体重掺杂层(5)；所述顶部第一导电类型半导体重掺杂层(5)上具有集成BJT区、CMOS区和DMOS区的第一导电类型半导体轻掺杂外延层(6)，其中BJT区、CMOS区和DMOS区之间相互隔离，所述第一导电类型半导体轻掺杂外延层(6)的上表面设置有金属电极(12)。