[发明专利]类E类射频功率放大器在审
| 申请号： | 201810947079.7 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN109104161A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 任江川;戴若凡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种类E类射频功率放大器，两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接VB；第二MOS的漏端依次串接第二电容以及第二电感后形成第二输出端，且第二输出端还通过一第四电容接地；第一MOS的漏端依次串接第三电容以及第三电感后形成第一输出端，且第一输出端还通过一第五电容接地。本发明每个MOS管均具有漏端输出，具有较强的输出功率，且实际占用的版图面积与传统的E类功率放大器的面积相当。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 电容 输出端 接地 漏端 射频功率放大器 电容接地 依次串接 电容连接 输出功率 输入端口 传统的 电阻 串联 电源 占用 输出 | ||
【主权项】：
1.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第三共3个电感、第一～第五共5个电容：两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接电压VB，所述电压VB为一偏置电压，采用连接电源或者其他偏置电压，根据电路需要进行调整；第二MOS的漏端依次串接第二电容以及第二电感后，形成第二输出端，且第二输出端还通过一第四电容接地；第一MOS的漏端依次串接第三电容以及第三电感后，形成第一输出端，且第一输出端还通过一第五电容接地。
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