[发明专利]类E类射频功率放大器

权利要求书

1.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第三共3个电感、第一～第五共5个电容：

两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接电压VB，所述电压VB为一偏置电压，采用连接电源或者其他偏置电压，根据电路需要进行调整；

第二MOS的漏端依次串接第二电容以及第二电感后，形成第二输出端，且第二输出端还通过一第四电容接地；

第一MOS的漏端依次串接第三电容以及第三电感后，形成第一输出端，且第一输出端还通过一第五电容接地。

2.如权利要求1所述的类E类射频功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均为NMOS管，两个MOS管均提供输出，且每个MOS管均为漏端输出。

3.如权利要求2所述的类E类射频功率放大器，其特征在于：所述的两个MOS管的漏端输出具有类似的输出曲线，即相位相同，仅振幅不同。

4.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第三共3个电感、第一～第五共5个电容：

两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接VB；

第二MOS的漏端还依次串接第二电容以及第二电感后，连接一功率合成器的输入端，且该输入端还通过一第四电容接地；

第一MOS的漏端还依次串接第三电容以及第三电感后，连接所述功率合成器的另一输入端，且该输入端还通过一第五电容接地；

功率合成器的输出端形成该类E类功率放大器的总输出端。

5.如权利要求4所述的类E类射频功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均为NMOS管，两个MOS管均提供输出，且每个MOS管均为漏端输出。

6.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、第一～第二共2个电感、第一～第四共4个电容：

两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接VB；

第二MOS的漏端串接一第二电容；

第一MOS的漏端串接一第三电容；第二电容的剩余一端与第三电容的剩余一端并联后串接一第二电感，第二电感的另一端通过第4电容接地，并形成所述类E类功率放大器的总输出端。

7.如权利要求6所述的类E类射频功率放大器，其特征在于：所述的第一及第二MOS管均为NMOS管，两个MOS管均提供输出，且每个MOS管均为漏端输出。

8.一种类E类射频功率放大器，其特征在于：所述放大器具有两输入端口电路构成差分输入端，每个差分输入端口电路均包含一个电阻、第一～第二共两个MOS管、一个电感、第一～第三共3个电容；

两个MOS管串联后第二MOS一端通过第一电感接电源，第一MOS的剩余一端接地，接地的MOS管栅极为类E类功率放大器的一差分输入端口；接第一电感的MOS管的栅极与第一电容连接，第一电容的另一端接地；第一电阻一端接第一电容，另一端接VB；

第二MOS的漏端还一第二电容；

第一MOS的漏端还接一第三电容；第二电容的剩余一端与第三电容的剩余一端并联后形成差分输入端口电路的输出端；

一变压器与第四电容并联，两差分输入端口电路的两输出端分别连接变压器的初级线圈两端，变压器的次级线圈一端接地，另一端形成整个类E类功率放大器的总输出端，并且该总输出端还通过一第五电容接地。