[发明专利]薄膜晶体管器件制造方法及薄膜晶体管器件

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管器件制造方法，其包括：一下电极设置步骤、一第一源极漏极设置步骤、一钝化层设置步骤、一上电极设置步骤、一第二源极漏极设置步骤、以及一透明电极设置步骤。透过上述方法制造的薄膜晶体管器件以N型金属绝缘半导体作为驱动元件，P型金属绝缘半导体作为补偿元件，以增大薄膜晶体管器件输出电流和提高薄膜晶体管器件的场效应迁移率。

主权项

1.一种薄膜晶体管器件制造方法，其特征在于，包括：一下电极设置步骤，包括设置一下电极在一玻璃基板上，并且形成一覆盖所述下电极的第一栅极绝缘层在所述玻璃基板上；一第一源极漏极设置步骤，包括设置一N型半导体有源层在所述第一栅极绝缘层上，且设置一第一源极及一第一漏极在所述第一栅极绝缘层上，其中所述第一源极及所述第一漏极连接所述N型半导体有源层以共同形成一N型金属绝缘半导体；一钝化层设置步骤，包括设置一第一钝化层在所述N型半导体有源层、所述第一源极及所述第一漏极上；一上电极设置步骤，包括设置一上电极在所述第一钝化层上，并设置一覆盖所述上电极的第二栅极绝缘层在所述第一钝化层上；一第二源极漏极设置步骤，包括贯穿设置至少一第一过孔在所述第一钝化层以及所述第二栅极绝缘层上，设置一P型半导体有源层在所述第二栅极绝缘层上，并且设置一第二源极和一第二漏极在所述第二栅极绝缘层上，其中所述第二源极及所述第二漏极连接所述P型半导体有源层以共同形成一P型金属绝缘半导体，且所述第二漏极与所述第一漏极通过所述至少一第一过孔相连接；以及一透明电极设置步骤，包括设置一第二钝化层在所述P型半导体有源层、所述第二源极及所述第二漏极上，贯穿设置至少一第二过孔在所述第二钝化层上，并且设置一透明电极在所述第二钝化层上，其中所述透明电极通过所述至少一第二过孔与第二漏极相连接。