[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201810940109.1 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110277123A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 木村啓太;伊贺正彦;铃木雄一朗 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含：存储器串(NS)，包含第1选择晶体管(ST1)、与第1选择晶体管邻接的第1晶体管(MTDD0a)、存储单元晶体管(MT)、以及第2选择晶体管(ST2)；第1及第2选择栅极线(SGD及SGS)；第1字线(DD0)；第2字线(WL)；行解码器(11)；温度传感器；以及控制电路(14)。控制电路在删除动作中，在温度传感器的测定温度(Tmoni)为第1温度(Ts)以上的情况下，选择对第1字线(DD0)施加第1电压(VERA_DDH)的第1模式，在测定温度(Tmoni)小于第1温度(Ts)的情况下，选择对第1字线(DD0)施加第2电压(VERA_DDL)的第2模式。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 半导体存储装置 选择晶体管 温度传感器 控制电路 存储单元晶体管 施加 选择栅极线 存储器串 行解码器 邻接 晶体管 删除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：存储器串，包含第1选择晶体管、与所述第1选择晶体管邻接且与所述第1选择晶体管串联连接的第1晶体管、与所述第1晶体管串联连接的存储单元晶体管、以及与所述存储单元晶体管串联连接的第2选择晶体管；第1及第2选择栅极线，分别连接于所述第1及第2选择晶体管的栅极；第1字线，连接于所述第1晶体管的栅极；第2字线，连接于所述存储单元晶体管的栅极；行解码器，对所述第1及第2选择栅极线以及所述第1及第2字线施加电压；温度传感器；以及控制电路，控制删除动作；且所述控制电路在所述删除动作中，在所述温度传感器的测定温度为第1温度以上的情况下，选择对所述第1字线施加第1电压的第1模式，在所述温度传感器的所述测定温度小于所述第1温度的情况下，选择对所述第1字线施加比所述第1电压低的第2电压的第2模式。
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