[发明专利]包括裸芯上终止电路的存储器器件在审
| 申请号： | 201810933069.8 | 申请日： | 2018-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109753456A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 金恩智;朴廷埈;任政燉;郑秉勋;崔荣暾 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F13/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种存储器器件包括：第一存储器芯片，其包括第一裸芯上终止电路ODT，该第一裸芯上终止电路包括第一ODT电阻器；第二存储器芯片，其包括第二裸芯上终止电路ODT，该第二裸芯上终止电路包括第二ODT电阻器；至少一个接收至少一个芯片使能信号的芯片使能信号引脚，其中该至少一个芯片使能信号选择性地使能第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个；以及被共同连接到第一存储器芯片和第二存储器芯片的ODT引脚，其接收ODT信号，其中该ODT信号定义了针对第一ODT电路和第二ODT电路中的至少一个的使能时段，并且响应于该ODT信号和该至少一个芯使能信号，使能第一ODT电阻器和第二ODT电阻器中的一个以终止由第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个接收的信号。 | ||
| 搜索关键词： | 终止电路 裸芯 存储器芯片 第二存储器 芯片使能信号 芯片 使能 存储器器件 引脚 使能信号 响应 | ||
【主权项】：
1.一种存储器器件，包含：第一存储器芯片，其包括包含第一ODT电阻器的第一裸芯上终止(ODT)电路；第二存储器芯片，其包括包含第二ODT电阻器的第二ODT电路；至少一个芯片使能信号引脚，其接收至少一个芯片使能信号，其中所述至少一个芯片使能信号选择性地使能第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个；和接收ODT信号的ODT引脚，其共同地连接到第一存储器芯片和第二存储器芯片，其中所述ODT信号定义第一ODT电路和第二ODT电路中的至少一个的使能时段，响应于所述ODT信号和所述至少一个芯片使能信号，使能第一ODT电阻器和第二ODT电阻器中的一个以终止由第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个接收的信号。
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