[发明专利]包括裸芯上终止电路的存储器器件

权利要求书

1.一种存储器器件，包含：

第一存储器芯片，其包括包含第一ODT电阻器的第一裸芯上终止(ODT)电路；

第二存储器芯片，其包括包含第二ODT电阻器的第二ODT电路；

至少一个芯片使能信号引脚，其接收至少一个芯片使能信号，其中所述至少一个芯片使能信号选择性地使能第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个；和

接收ODT信号的ODT引脚，其共同地连接到第一存储器芯片和第二存储器芯片，

其中所述ODT信号定义第一ODT电路和第二ODT电路中的至少一个的使能时段，

响应于所述ODT信号和所述至少一个芯片使能信号，使能第一ODT电阻器和第二ODT电阻器中的一个以终止由第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个接收的信号。

2.如权利要求1所述的存储器器件，其中所述至少一个芯片使能信号包含选择性地使能第一存储器芯片的第一芯片使能信号和选择性使能第二存储器芯片的第二芯片使能信号，并且

所述至少一个芯片使能信号引脚包含接收第一芯片使能信号的第一芯片使能信号引脚和接收第二芯片使能信号的第二芯片使能信号引脚。

3.如权利要求2所述的存储器器件，其中响应于所述ODT信号被使能并且所述第一芯片使能信号被禁用，使能第一ODT电路并且第一ODT电阻器终止由第一存储器芯片接收的信号。

4.如权利要求2所述的存储器器件，其中响应于所述ODT信号和所述第一芯片使能信号被使能，禁用第一ODT电路。

5.如权利要求1所述的存储器器件，其中所述至少一个芯片使能信号包含选择性地使能第一存储器芯片和第二存储器芯片的第一芯片使能信号，

所述至少一个芯片使能信号引脚包含接收第一芯片使能信号的第一芯片使能信号引脚，其中所述第一芯片使能信号引脚共同地连接到第一存储器芯片和第二存储器芯片。

6.如权利要求5所述的存储器器件，其中响应于所述ODT信号和所述第一芯片使能信号，选择第一存储器芯片并且不选择第二存储器芯片，使得第二ODT电路被使能并且第二ODT电阻器被用于终止由第二存储器芯片接收的信号。

7.如权利要求5所述的存储器器件，其中响应于所述ODT信号和所述第一芯片使能信号，不选择第一存储器芯片并且选择第二存储器芯片，使得第一ODT电路被使能并且第一ODT电阻器被用于终止由第一存储器芯片接收的信号。

8.如权利要求1所述的存储器器件，其中由第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个接收的信号包含数据信号、数据选通信号和读取使能信号中的至少一个。

9.如权利要求8所述的存储器器件，其中所述信号是读取使能信号，并且

所述第一ODT电路和所述第二ODT电路中的每一个包含ODT控制电路，所述ODT控制电路响应于所述读取使能信号来确定各自的ODT模式。

10.如权利要求9所述的存储器器件，其中所述第一ODT电路和所述第二ODT电路的各自的ODT模式的确定发生在ODT信号的激活点处。

11.如权利要求10所述的存储器器件，其中一旦确定第一ODT电路的ODT模式是写入ODT模式时，所述第一ODT电路的ODT控制电路就生成写入ODT控制信号。

12.如权利要求10所述的存储器器件，其中一旦确定第一ODT电路的ODT模式是读取ODT模式时，所述第一ODT电路的ODT控制电路就生成读取ODT控制信号。