[发明专利]化学机械研磨设备的研磨性能检测方法在审
| 申请号： | 201810928144.1 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828294A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 丁百龙;林晧庭 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;B24B49/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械研磨设备的研磨性能检测方法。包括：利用化学机械研磨设备研磨衬底，并形成一反射层在研磨之后的衬底上，从而可以对反射层进行光学检测，在光学检测过程中反射层能够将检测光束反射至一检测感应器上，检测感应器获取针对于衬底表面的检测信号，进而可以检测出衬底表面是否存在研磨缺陷，由此判断化学机械研磨设备的研磨性能。本发明中的化学机械研磨设备的研磨性能检测方法，能够有效提高化学机械研磨设备研磨性能的检测结果的准确性，并且还有利于缩短检测化学机械研磨设备的研磨性能所需的时间，提高了化学机械研磨设备的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 设备 性能 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
