[发明专利]改善快门效率的图像传感器装置及其制造方法有效
申请号: | 201810926989.7 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN109427834B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 曹淳凯;周世培;卢玠甫 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蒋林清 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明实施例涉及改善快门效率的图像传感器装置及其制造方法。本揭露涉及一种半导体装置,其包含半导体衬底及所述半导体衬底上方的栅极结构。所述半导体衬底包含邻近所述栅极结构的光敏区,且所述栅极结构经配置以存储从所述光敏区产生的电荷。所述半导体装置还包含在所述半导体衬底上方的导电结构。所述导电结构外接所述栅极结构的侧壁且与所述栅极结构的所述侧壁隔开。 | ||
搜索关键词: | 改善 快门 效率 图像传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:半导体衬底;栅极结构,其在所述半导体衬底上方,其中所述半导体衬底包含邻近所述栅极结构的光敏区,且所述栅极结构经配置以存储从所述光敏区产生的电荷;及导电结构,其在所述半导体衬底上方,所述导电结构外接所述栅极结构的侧壁且与所述栅极结构的所述侧壁隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的