[发明专利]三维存储器及其堆叠层的平坦化方法在审
| 申请号： | 201810923512.3 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN109065545A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 杨俊铖 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维存储器及其堆叠层的平坦化方法。该方法包括以下步骤：提供衬底，所述半导体结构具有核心区、阶梯区和周边区；在周边区依次形成具有预设厚度的第一绝缘层和第一停止层；在所述核心区、阶梯区和周边区形成堆叠层；在所述阶梯区的堆叠层上形成阶梯结构，且至少去除所述周边区堆叠层的一部分；在所述核心区、阶梯区和周边区上形成第二绝缘层；去除所述核心区和周边区的第二绝缘层；以及对阶梯区的第二绝缘层进行平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 周边区 堆叠层 阶梯区 绝缘层 核心区 平坦化 三维存储器 去除 半导体结构 阶梯结构 停止层 衬底 预设 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的堆叠层的平坦化方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底具有核心区、阶梯区和周边区；在周边区依次形成具有预设厚度的第一绝缘层和第一停止层；在所述核心区、阶梯区和周边区形成堆叠层；在所述阶梯区的堆叠层上形成阶梯结构，且至少去除所述周边区堆叠层的一部分；在所述核心区、阶梯区和周边区上形成第二绝缘层；去除所述核心区和周边区的第二绝缘层；对阶梯区的第二绝缘层进行平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
