[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 201810902651.8 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109748232A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 邓伊筌;蔡俊胤;朱家骅;郑钧文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体装置结构的结构与其形成方法。半导体装置结构包含第一介电层与第二介电层于半导体基板上。空腔穿过第一介电层与第二介电层。半导体装置结构亦包含第一可动膜于第一介电层与第二介电层之间。经由空腔部分地露出第一可动膜。第一可动膜包含沿着空腔的边缘排列的第一波纹部分。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体装置结构 可动 空腔 半导体基板 边缘排列 波纹 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构，包括：一第一介电层与一第二介电层，位于一半导体基板上，其中一空腔穿过该第一介电层与该第二介电层；以及一第一可动膜，位于该第一介电层与该第二介电层之间，其中经由该空腔部分地露出该第一可动膜，其中该第一可动膜包含沿着该空腔的边缘排列的多个第一波纹部分。
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