[发明专利]半导体装置结构

说明书

提供半导体装置结构的结构与其形成方法。半导体装置结构包含第一介电层与第二介电层于半导体基板上。空腔穿过第一介电层与第二介电层。半导体装置结构亦包含第一可动膜于第一介电层与第二介电层之间。经由空腔部分地露出第一可动膜。第一可动膜包含沿着空腔的边缘排列的第一波纹部分。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置结构，更特别关于微机电系统结构与其膜的凹陷部分。

背景技术

半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进步，使每一代的集成电路比前一代的集成电路更小且电路更复杂。随着集成电路进展，功能密度(比如固定晶片面积中的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如制程形成的最小构件)缩小而增加。这些进展会增加集成电路制程的复杂度。为实现这些进展，集成电路制程亦需类似发展。

近来已发展微机电系统装置。微机电系统装置包含的装置以半导体技术制作，其可形成机械与电性结构。微机电系统装置可包含用于达到机械功能的多个单元如可动单元。

微机电系统应用包含麦克风、动作传感器、压力传感器、印表机喷嘴、或类似物。其他微机电系统应用包含惯性传感器，比如用于量测线性加速度的加速计，或用于量测角速度的陀螺仪。此外，微机电系统应用可延伸至光学应用如可动反射镜、、射频应用如射频开关、或类似应用。

虽然微机电系统装置的现有装置与形成方法通常符合其预设目的，但无法完全满足所有方面。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置结构，包括：

第一介电层与第二介电层，位于半导体基板上，其中空腔穿过第一介电层与第二介电层；以及第一可动膜，位于第一介电层与第二介电层之间，其中经由空腔部分地露出第一可动膜，且其中第一可动膜包含沿着空腔的边缘排列的第一波纹部分。

附图说明

图1系一些实施例中，半导体装置结构的上视图。

图2A至2J系一些实施例中，半导体装置结构的形成制程其多种阶段沿着图1中剖线A-A’的剖视图。

图3A至3F系一些实施例中，半导体装置结构的多种上视图。

图4系一些实施例中，膜的凹陷部分的放大透视图。

图5A系一些实施例中，膜的凹陷部分沿着图4中剖线B-B’的剖视图。

图5B系比较实施例中，不具有凹陷部分的膜的剖视图。

图6系一些实施例中，半导体装置结构的上视图。

图7A至7C系一些实施例中，半导体装置结构的形成制程其多种阶段沿着图6中剖线A-A’的剖视图。

其中，附图标记说明如下：

A-A’、B-B’ 剖线

b、L₁、L₂、L₃ 长度

D、D₁、D₂、D₃、D₄ 深度

D₅ 直径

h、h₁、T₁、T₂ 厚度

P₁ 内部间隔

P₂ 外部间隔

w 宽度

W₁ 内部宽度

W₂ 外部宽度