[发明专利]发光组件的制造方法

摘要

本发明提供一种发光组件的制造方法，为减低将发光组件自具有晶格不匹配系窗层兼支承基板的半导体基板，透过刻划及劈裂予以分离时的劈裂不良率，在基板以晶格匹配系材料磊晶出第一半导体层、活性层及第二半导体层而形成发光层部，以与发光层部为晶格不匹配系材料磊晶出窗层兼支承基板，除去基板，形成第一欧姆电极，形成除去部，在除去部形成第二欧姆电极，由此制造半导体基板，自半导体基板以刻划及劈裂而分离发光组件，通过在与半导体基板发光层部形成面的反面，形成窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下沟槽，通过刻划及劈裂分离发光组件。

主权项

1.一种发光组件的制造方法，包含下列步骤：在基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料且通过磊晶成长而至少依序成长第一半导体层、活性层及第二半导体层，而形成发光层部；以与该发光层部为晶格不匹配系的材料而将窗层兼支承基板予以磊晶成长在该发光层部上而形成该窗层兼支承基板；除去该基板；在该第一半导体层表面形成第一欧姆电极；至少除去该第一半导体层与该活性层而形成除去部；在该除去部的该第二半导体层或在该窗层兼支承基板上形成第二欧姆电极；由此制造半导体基板，该半导体基板在该窗层兼支承基板上至少具有该除去部以外的发光层部、该第一欧姆电极及该第二欧姆电极，之后，自该半导体基板，透过刻划及劈裂而分离发光组件，由此制造发光组件，其中，该发光组件的分离，系通过在与该半导体基板的该发光层部形成面侧为相反侧的表面，形成该窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下的沟槽，之后自该半导体基板的该发光层部形成面侧而沿着该沟槽对该半导体基板的表面给予刻划痕，对该沟槽的全长或一部分施加与该半导体基板垂直的力量，而分离该发光组件。