[发明专利]湿法刻蚀装置在审
| 申请号： | 201810889348.9 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN109273382A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 张杰真;刘命江;方桂芹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种湿法刻蚀装置，包括：刻蚀腔室；旋转平台，位于所述刻蚀腔室内，用于承载晶圆；试剂收集平台，位于所述刻蚀腔室的内侧壁，且凸出设置；试剂挡块，设置于所述试剂收集平台上，且位于所述旋转平台外围，用于阻挡试剂流出。保证在较短的时间内更均匀刻蚀或清洗晶圆，提高刻蚀或清洗效率。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法刻蚀装置 刻蚀腔室 旋转平台 晶圆 刻蚀 清洗效率 凸出设置 刻蚀腔 内侧壁 挡块 清洗 流出 承载 外围 室内 阻挡 保证 | ||
【主权项】：
1.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包括：刻蚀腔室；旋转平台，位于所述刻蚀腔室内，用于承载晶圆；试剂收集平台，位于所述刻蚀腔室的内侧壁，且凸出设置；试剂挡块，设置于所述试剂收集平台上，且位于所述旋转平台外围，用于阻挡试剂流出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
