[发明专利]一种叉指型背接触异质结太阳电池制备方法

摘要

本发明公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法。在经过清洗、去损伤层、制绒的单晶硅基体的正面依次沉积本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；在电池背面沉积本征非晶硅背钝化层；在背钝化层的表面以掩膜法沉积P型非晶硅层，然后直接沉积P型非晶硅层和N型非晶硅层之间的绝缘隔离层，并采用光刻法按预设的绝缘隔离层宽度进行刻蚀；进一步以掩膜法沉积背面N型非晶硅层；最后采用掩膜工艺依次沉积透明导电薄膜、金属膜形成接触层，完成本发明的太阳电池制备。本发明提高了HBC单晶硅太阳电池背面结构图形的制备工艺精度，减小了隔离层宽度，提高了光生载流子的收集概率和HBC太阳电池的短路电流密度。

主权项

1.一种背接触异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)对单晶硅基体进行清洗、去除损伤层、制绒；(b)处理后的单晶硅基体采用PECVD制备正面本征非晶硅钝化层；(c)PECVD法沉积正面N型非晶硅层作为太阳电池的前表面场；(d)在正面N型非晶硅层上用PECVD法沉积减反层；(e)单晶硅基体的背面采用PECVD法沉积背面本征非晶硅钝化层，使其覆盖整个背面区域；(f)以乙硼烷或三甲基硼烷作为掺杂气体、氢气为载气和稀释气体、硅烷作为反应气体，借助掩膜工艺通过PECVD法沉积P型非晶硅层作为发射极；(g)借助掩膜工艺通过PECVD法沉积绝缘隔离层；(h)通过光刻技术，按照预设的隔离层宽度进行刻蚀，完成对P型非晶硅层与N型非晶硅层之间绝缘隔离层的制备；(i)在上述太阳电池背表面的基础上，以磷烷作为掺杂气体、氢气为载气和稀释气体、硅烷为反应气体，借助掩膜工艺通过PECVD法沉积N型非晶硅层作为背面场；(j)在所述的P型非晶硅层和N型非晶硅层表面采用掩膜工艺通过PVD或CVD法沉积透明导电氧化物薄膜，作为导电层；(k)在所述透明导电氧化物薄膜上采用掩膜工艺通过PVD的方式沉积金属电极，完成本发明的太阳电池的制备。