[发明专利]太阳能电池

摘要

太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

主权项

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，所述隧穿层在所述半导体基板的后表面上；多晶硅层，所述多晶硅层在所述隧穿层的后表面上；第一钝化膜，所述第一钝化膜在所述多晶硅层的后表面上；第一电极，所述第一电极形成在所述第一钝化膜上，并且穿过所述第一钝化膜的开口连接到所述多晶硅层；以及第二电极，所述第二电极连接到所述半导体基板的前表面。