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[发明专利]用于提高热效率的烟管结构-CN201911035003.8有效
发明人： 郑柱和;金钟勋;金治官 -专利权人：大林儒雅利恩派（株）
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： F23J15/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于提高热效率的烟管结构，包括：管，通过在内部流动燃烧气体与外部的热介质进行热交换；及湍流器，安装在管内部，并形成螺旋形状，以引导燃烧气体湍流流动；其中，在湍流器还具有副促进体，副促进体沿着流线方向形成来扩散燃烧气体的湍流流动，以用于防止燃烧气体的压力损失；湍流器的副促进体包括通气孔和扩张片，通气孔沿着流线方向形成，扩张片连接于通气孔的后端形成倾斜，并沿着流线方向渐增大表面积。本发明的用于提高热效率的烟管结构为了通过燃烧气体的流动促进与管外部的热介质进行热交换，将螺旋形湍流器安装在管内部，尤其将沿着流线方向形成的副促进体导入湍流器，进而不仅扩散燃烧气体的湍流流动，还可防止压力损失。
用于提高热效率烟管结构

[发明专利]太阳能电池-CN201810878741.8有效
发明人：河廷珉;金圣辰;郑柱和;安俊勇;崔亨旭;张元宰;金在声 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN202080052377.5在审
发明人：金圣辰;郑柱和;崔亨旭;张元宰 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式的太阳能电池包括：第一铝氧化物层，第一铝氧化物层位于第一导电类型区域上，该第一导电类型区域由具有n型导电类型并且包括氢的多晶硅层组成；以及第一钝化层，该第一钝化层位于第一铝氧化物层上并且包括包含与第一铝氧化物层的材料不同的材料的第一介电层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN202111338866.X在审
发明人：曹海宗;吴东海;郑柱和;安俊勇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池-CN201810110898.6有效
发明人：曹海宗;吴东海;郑柱和;安俊勇 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电区域，其位于半导体基板的前表面处并且包含第一导电类型或第二导电类型的杂质；第二导电区域，其位于半导体基板的后表面处并且包含与第一导电区域的杂质的导电类型相反的导电类型的杂质；第一电极，其位于半导体基板的前表面上并且连接到第一导电区域；以及第二电极，其位于半导体基板的后表面上并且连接到第二导电区域。第一电极和第二电极中的每一个包括金属颗粒和玻璃料。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池制备方法-CN202080008582.1在审
发明人：张元宰;金圣辰;都荣九;郑柱和;安俊勇;曹海宗;高智洙 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制备方法。其包括：多晶硅层形成步骤，用于在包括基区并由单晶硅材料形成的半导体基板的后表面上形成包含第一掺杂剂的多晶硅层；前表面纹理化步骤，用于对半导体基板的前表面进行纹理化并且还去除形成于前表面上的多晶硅层；第二导电区形成步骤，用于通过在半导体基板的前表面上扩散第二掺杂剂来形成第二导电区；钝化膜形成步骤，用于在形成于半导体基板的后表面上的多晶硅层上形成第一钝化膜，并且在半导体基板的前表面上的第二导电区上形成第二钝化膜；以及电极形成步骤，用于形成穿过第一钝化膜并且连接至多晶硅层的第一电极并且在第二导电区上形成穿过第二钝化膜的第二电极。
太阳能电池制备方法

[发明专利]减少氮氧化物的锅炉控制方法-CN201811382589.0有效
发明人： 郑柱和;金钟勋;金治官 -专利权人：大林儒雅利恩派（株）
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： F23N1/02 文献下载
摘要：本发明涉及减少氮氧化物的锅炉控制方法。所述方法包括：第一设置操作(S100)：在第二控制阀(91)关闭而第一控制阀(90)打开的状态下，控制燃料阻尼器(12)和鼓风机马达(22)的转数，并且根据从载荷检测器(92)接收的载荷值驱动锅炉；以及第二设置操作(S200)：在第一设置操作之后根据载荷值驱动锅炉，其中控制所述第一控制阀(90)和所述第二控制阀(91)的开度，并且在通过第一检测传感器单元(70)和第二检测传感器单元(71)测量的NOx和氧气的浓度小于或等于NOx和氧气的目标浓度时，存储根据对应载荷值的第一控制阀(90)和第二控制阀(91)的开度的设置值。
减少氧化物锅炉控制方法

[发明专利]具有氮氧化物排放量自动测量装置的工业锅炉及其方法-CN202010685431.1在审
发明人： 郑柱和;金钟勋;金治官 -专利权人：大林儒雅利恩派（株）
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： F23N5/26 文献下载
摘要：具有氮氧化物排放量自动测量装置的工业锅炉及其方法。本发明的工业锅炉包括：鼓风机，进行旋转以使燃料燃烧所需的外部空气流入；电动机，使鼓风机进行旋转；排放烟道，使燃烧的空气排放到外部；及氮氧化物排放量自动测量装置，自动测量通过排放烟道排放的氮氧化物排放量，氮氧化物排放量自动测量装置包括：存储部，存储有根据工业锅炉的负荷量的排气流量；NOx传感器部，设置在排放烟道的内侧，检测通过排放烟道排放的排气中所含的氮氧化物的浓度；及控制部，根据鼓风机的转速确定锅炉的负荷量，通过使用存储在存储部中的根据负荷量的排气流量中与确定的锅炉的负荷量相对应的排气流量和在NOx传感器部中检测的氮氧化物的浓度来对氮氧化物排放量进行演算。
具有氧化物排放量自动测量装置工业锅炉及其方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201510892086.8有效
发明人：河廷珉;金圣辰;郑柱和;安俊勇;崔亨旭;张元宰;金在声 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]硅太阳能电池及其制造方法-CN201510092999.1在审
发明人：安俊勇;郭桂荣;郑柱和 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池和制造该太阳能电池的方法-CN201210004842.5有效
发明人：辛明俊;金圣辰;郑柱和;梁荣成;权泰瑛;李满;郭桂荣;李圣恩 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池，包括：第一导电类型的基板；与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域，该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻；第一重掺杂区域，其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻；多个第一电极，其位于基板上，与第一重掺杂区域的至少一部分重叠，并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分；以及至少一个第二电极，其位于基板上并且连接到基板。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池-CN201110168794.9有效
发明人：金圣辰;郭桂荣;都荣九;李满;李圣恩;梁荣成;权泰瑛;曺海宗;崔珉浩;郑柱和 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池。讨论了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括：第一导电类型的基板；与所述第一导电类型相反的第二导电类型的发射极层；连接至所述发射极层的多个第一电极；连接至所述多个第一电极的至少一个第一集电器；以及连接至所述基板的第二电极。所述发射极层和所述基板一起形成p-n结。所述多个第一电极中的每一个第一电极都具有多层结构，并且所述至少一个第一集电器具有单层结构。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200980129536.0有效
发明人： 郑柱和;安俊勇;郑智元;朴铉定;李圣恩 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池及其制造方法，所述制造方法包括在基板的表面上不均匀地形成锯齿状部分、在所述基板中形成第一型半导体和第二型半导体、形成与所述第一型半导体接触的第一电极和形成与所述第二型半导体接触的第二电极。在制造太阳能电池的湿式蚀刻过程中所用的蚀刻剂基于所述蚀刻剂的总重量包含约0.5重量％～10重量％的HF、约30重量％～60重量％的HNO3和至多为约30重量％的乙酸。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]硅太阳能电池及其制造方法-CN200880118116.8无效
发明人：安俊勇;郭桂荣;郑柱和 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了硅太阳能电池和其制造方法。所述硅太阳能电池包括：掺杂有第一导电杂质的硅半导体基板；所述基板上的掺杂有第二导电杂质的发射极层，所述第二导电杂质的极性与所述第一导电杂质的极性相反；所述基板的整个表面上的防反射层；穿过所述防反射层并连接到所述发射极层的上电极；以及连接到所述基板的下部的下电极。所述发射极层包括重掺杂有所述第二导电杂质的第一发射极层、和轻掺杂有所述第二导电杂质的第二发射极层。所述第二发射极层的表面电阻在100Ohm/sq至120Ohm/sq的范围内。
太阳能电池及其制造方法

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