[发明专利]切割金属工艺中的基脚去除有效
| 申请号： | 201810875547.4 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585293B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄铭淇;黄国彬;庄英良;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括形成栅极堆叠件，栅极堆叠件包括：位于第一半导体鳍的部分上方的第一部分，位于第二半导体鳍的部分上方的第二部分，以及将第一部分连接至第二部分的第三部分。对栅极堆叠件的第三部分实施各向异性蚀刻以在第一部分和第二部分之间形成开口。在各向异性蚀刻之后，第三部分的基脚部分保留。该方法还包括实施各向同性蚀刻以去除基脚部分的金属栅极部分，以及用介电材料填充开口。本发明的实施例还涉及切割金属工艺中的基脚去除。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 金属工艺 中的 基脚 去除 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管的方法，包括：形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件包括：第一部分，位于第一半导体鳍的部分上方；第二部分，位于第二半导体鳍的部分上方；和第三部分，将所述第一部分连接至所述第二部分；对所述栅极堆叠件的第三部分实施各向异性蚀刻以在所述第一部分和所述第二部分之间形成开口，其中，在所述各向异性蚀刻之后，所述第三部分的基脚部分保留；实施各向同性蚀刻以去除所述基脚部分的金属栅极部分；以及用介电材料填充所述开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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