[发明专利]具有绝缘的源极/漏极跳线结构的半导体装置在审
| 申请号： | 201810873335.2 | 申请日： | 2018-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN109494252A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 席德哈斯·瑞斯托吉;沙布哈许·克查尼利;梁在锡;千宽永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：绝缘体，在衬底上，并具有相对的第一侧和第二侧，第一侧和第二侧中的每一个沿第一方向延伸；第一鳍图案，从绝缘体的第三侧沿第一方向延伸；第二鳍图案，从绝缘体的第四侧沿第一方向延伸；以及第一栅极结构，从绝缘体的第一侧沿横向于第一方向的第二方向延伸。所述装置还包括：第二栅极结构，从绝缘体的第二侧沿第二方向延伸；第三鳍图案，与第一栅极结构交叠，与绝缘体的第一侧隔开，并且沿第一方向延伸；第四鳍图案，与第二栅极结构交叠，与第二侧隔开，并且在第二侧延伸的方向上延伸。绝缘体的上表面高于第一鳍图案的上表面和第二鳍图案的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 方向延伸 栅极结构 图案 侧沿 上表面 半导体装置 隔开 交叠 源极/漏极 跳线结构 衬底 延伸 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘体，在衬底上并具有相对的第一侧和第二侧，所述第一侧和所述第二侧中的每一个沿第一方向延伸；第一鳍图案，从所述绝缘体的第三侧沿所述第一方向延伸；第二鳍图案，从所述绝缘体的第四侧沿所述第一方向延伸；第一栅极结构，从所述绝缘体的所述第一侧沿横向于所述第一方向的第二方向延伸；第二栅极结构，从所述绝缘体的所述第二侧沿所述第二方向延伸；第三鳍图案，与所述第一栅极结构交叠，与所述绝缘体的所述第一侧隔开，并且沿所述第一方向延伸；以及第四鳍图案，与所述第二栅极结构交叠，与所述第二侧隔开，并且在所述第二侧延伸的方向上延伸，其中所述绝缘体的上表面高于所述第一鳍图案的上表面和所述第二鳍图案的上表面。
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