[发明专利]一种原子层沉积设备及方法有效
申请号: | 201810873257.6 | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN110527981B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 秦海丰;史小平;兰云峰;纪红;赵雷超;张文强 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/448 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 李秋华 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种原子层沉积设备及方法。该设备包括反应腔室、溶剂冲刷系统以及多个前驱体传输系统,其中,每个前驱体传输系统均包括前驱体传输管路和与前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶,多条前驱体传输管路共同汇入反应腔室;溶剂冲刷系统包括溶剂传输管路和与溶剂传输管路可通断性连接的溶剂源瓶,溶剂传输管路与至少一条前驱体传输管路选择性连通,以向前驱体传输管路和/或反应腔室通入吹扫溶剂进行吹扫。本发明能够减少腔室内的非预期反应物沉积,提高薄膜纯度,改善沉积薄膜的质量;能够改善薄膜厚度均匀性,提高片间薄膜性能的重复性;并且能够降低腔室内壁的颗粒物附着,从而提高沉积薄膜的纯度。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括反应腔室、溶剂冲刷系统以及多个前驱体传输系统,其中,/n每个所述前驱体传输系统均包括前驱体传输管路和与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶,多条所述前驱体传输管路共同汇入所述反应腔室;/n所述溶剂冲刷系统包括溶剂传输管路和与所述溶剂传输管路可通断性连接的溶剂源瓶,所述溶剂传输管路与至少一条所述前驱体传输管路选择性连通,以向所述前驱体传输管路和/或所述反应腔室通入吹扫溶剂进行吹扫。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810873257.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种原子层沉积设备及方法
- 下一篇:用于外延腔室的衬垫
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的