[发明专利]用于操作衬底的设备在审
| 申请号： | 201810867124.8 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108933099A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 弓利军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 巴晓艳 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种用于操作衬底的设备，包括：抽气管（181）和抓取盘装置；在抓取盘装置的底部设置有沿圆周方向均匀设置的多个第一抽气孔（38，39），多个第一抽气孔与抽气管（181）连通；多个第一抽气孔（38，39）分布在抓取盘装置底部的特定区域，在衬底（40）与抓取盘装置底部接触时，多个第一抽气孔位于衬底（40）外边缘处，通过抽气管（181）以及多个第一抽气孔抽出在衬底（40）与抓取盘装置的底部之间的空气，用以吸附衬底（40）。本发明的设备，在生成负压时，所需的抽气量、抽力更小，衬底边缘负压均匀，避免衬底的压伤及污染；提供双重缓冲，避免在取放片过程中对晶片压伤和污染，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 抓取 抽气孔 盘装置 抽气管 负压 压伤 沿圆周方向 产品良率 衬底边缘 均匀设置 抽气量 外边缘 抽力 缓冲 晶片 取放 吸附 连通 污染 抽出 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作衬底的设备，其特征在于，包括：抽气管(181)和抓取盘装置；所述抽气管(181)的一端与所述抓取盘装置连接；在所述抓取盘装置的底部设置有多个第一抽气孔(38，39)，所述多个第一抽气孔与所述抽气管(181)连通；所述多个第一抽气孔(38，39)分布在所述抓取盘装置底部的特定区域，使得在衬底(40)与所述抓取盘装置的底部接触的状态下，所述多个第一抽气孔位于所述衬底(40)外边缘处；通过所述抽气管(181)以及所述多个第一抽气孔抽出在所述衬底(40)与所述抓取盘装置的底部之间的空气，用以吸附所述衬底(40)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810867124.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：处理晶圆的方法
- 下一篇：互连结构及互连结构的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
