[发明专利]恢复过抹除记忆胞的快闪存储器装置及其方法有效
| 申请号： | 201810861892.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109767800B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 河壬喆 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够快速恢复过抹除记忆胞，并且可防止对没有被过抹除的正常记忆胞产生不利影响的快闪存储器装置以及方法。快闪存储器装置包括存储器阵列以及耦接至存储器阵列的存储器控制器。存储器控制器用以在快闪存储器装置中选择包括过抹除记忆胞的存储器区块，其中选择存储器区块包括共用基极线以及共用源极线。存储器控制器还用以提供负电压到选择存储器区块的共用基极线以及共用源极线。并且，存储器控制器还用以提供负电压到选择存储器区块的共用基极线以及共用源极线。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 记忆 闪存 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用福勒诺汉后编程操作以恢复快闪存储器装置的过抹除记忆胞的方法，包括：在所述快闪存储器装置中选择包括所述过抹除记忆胞的选择存储器区块，其中所述选择存储器区块包括共用基极线以及共用源极线；提供负电压到所述选择存储器区块的所述共用基极线以及所述共用源极线；以及提供正电压到耦接于所述选择存储器区块的所述过抹除记忆胞的字线。
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