[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810840983.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110767740B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 金华俊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：漂移区；隔离结构，与所述漂移区接触，所述隔离结构包括第一隔离层、所述第一隔离层上的孔刻蚀停止层、以及所述孔刻蚀停止层上的第二隔离层；及孔场板，设于所述孔刻蚀停止层的上方，并与所述孔刻蚀停止层接触。本发明能够保证孔场板帮助漂移区耗尽的效果不会因为孔场板过深或过浅而偏离预期，因此可以保证器件的稳定性和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n漂移区；/n隔离结构，与所述漂移区接触，所述隔离结构包括第一隔离层、所述第一隔离层上的孔刻蚀停止层、以及所述孔刻蚀停止层上的第二隔离层；及/n孔场板，设于所述孔刻蚀停止层的上方，并与所述孔刻蚀停止层接触。/n
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