[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

漂移区；

隔离结构，与所述漂移区接触，所述隔离结构包括第一隔离层、所述第一隔离层上的孔刻蚀停止层、以及所述孔刻蚀停止层上的第二隔离层；及

孔场板，设于所述孔刻蚀停止层的上方，并与所述孔刻蚀停止层接触；

多晶硅结构，包括多晶硅栅和多晶硅场板；

其中，所述孔场板不与所述多晶硅结构直接接触，且所述孔场板不与所述多晶硅结构电连接，所述第一隔离层的厚度根据器件所需的耐压计算得出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构是浅沟槽隔离结构，所述第一隔离层和第二隔离层的材质是硅氧化物。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述孔刻蚀停止层的材质是含氮化合物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述孔场板为绝缘材质。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括金属层，所述孔场板的顶部连接至所述金属层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括设于所述隔离结构与所述金属层之间的层间介质，所述孔场板穿过所述层间介质连接所述金属层和隔离结构。

7.一种半导体器件的制造方法，包括：

在衬底表面形成沟槽；

在所述沟槽的内表面形成第一隔离层；所述第一隔离层的厚度根据器件所需的耐压计算得出；

在所述第一隔离层上形成孔刻蚀停止层；

在沟槽内剩余的位置形成第二隔离层；

形成漂移区，所述漂移区与隔离结构相接触，所述隔离结构包括所述第一隔离层、孔刻蚀停止层及第二隔离层；

刻蚀形成场板孔，所述场板孔贯穿所述第二隔离层至所述孔刻蚀停止层；

向所述场板孔内填充物质形成孔场板；

淀积多晶硅形成多晶硅栅和多晶硅场板，所述孔场板不与所述多晶硅结构直接接触，且所述孔场板不与所述多晶硅结构电连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括在所述隔离结构上形成层间介质的步骤，所述刻蚀形成场板孔的步骤是刻穿所述层间介质后，继续向下刻蚀所述第二隔离层直至所述孔刻蚀停止层。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述沟槽的内表面形成第一隔离层的步骤，是热生长硅氧化物。