[发明专利]在锆合金表面制备SiC涂层的方法及其应用

摘要

本发明涉及在锆合金表面制备SiC涂层的方法及其应用。该方法包括：将锆合金表面进行抛光处理；将进行抛光处理后的锆合金进行酸洗处理；利用等离子体增强化学气相沉积方法，在经过酸洗处理的锆合金的表面上形成SiC涂层；对SiC涂层进行等离子体轰击处理，等离子体轰击处理的工艺参数为：底部温度200‑550℃，真空度10‑190Pa，Ar流量160‑400sccm，H2流量40‑280sccm，放电功率40‑600W，处理时间10‑60min；于等离子体轰击处理温度下对经过等离子轰击处理的SiC涂层保温5‑20h。该方法制备所得的SiC涂层的结晶度高，与锆合金的结合力强，不易发生大面积剥落。

主权项

1.一种在锆合金表面制备SiC涂层的方法，其特征在于，包括：将锆合金表面进行抛光处理；将进行所述抛光处理后的锆合金进行酸洗处理；利用等离子体增强化学气相沉积方法，在经过所述酸洗处理的锆合金的表面上形成SiC涂层；对所述SiC涂层进行等离子体轰击处理，所述等离子体轰击处理的工艺条件为：底部温度200‑550℃，真空度10‑190Pa，Ar流量160‑400sccm，H2流量40‑280sccm，放电功率40‑600W，处理时间10‑60min；于所述等离子体轰击处理的温度下对经过所述等离子轰击处理的SiC涂层保温5‑20h。