[发明专利]基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置有效
| 申请号： | 201810837874.0 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109244233B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 闵泰;周雪;王蕾 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置，装置涉及到一种可以作为固定层的多层膜结构，即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置可以通过电场调控，使其反铁磁耦合增强，该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的固定层，在电场的作用下反铁磁耦合增强，保证固定层靠近势垒层的铁磁层不进行翻转，从而实现数据的稳定写入。所述基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置，通过电场和电流的共同作用达到稳定写入数据的目的，结构简单，具有密度高、功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 人工 反铁磁 固定 磁性 隧道 器件 随机 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件，其特征在于，包括一个自由磁性层、一个基于人工反铁磁装置的固定磁性层和一个非磁性势垒层构成的磁性隧道结，非磁性势垒层位于自由磁性层和基于人工反铁磁装置的固定磁性层之间；所述基于人工反铁磁装置的固定磁性层和自由磁性层的磁化方向垂直指向面外或平行于面；由第一层铁磁层‑非磁性间隔层‑第二层铁磁层的堆叠结构构成的人工反铁磁装置作为基于人工反铁磁装置的固定磁性层；还包括第一电极和第二电极，且第一电极和第二电极分别与自由磁性层和基于人工反铁磁装置的固定磁性层最下层的铁磁层接触，使电流在磁性隧道结器件中导通。
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