[发明专利]一种传感器单晶硅刻蚀装置

摘要

本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室，所述反应室的上表面固定安装有伺服电机，且反应室的上表面靠近伺服电机的一侧位置处开设有进气口，所述进气口的上端嵌入安装有送气管道，所述反应室的外侧壁焊接有置放端架，所述置放端架的上表面开设有置放槽。本发明通过设置了伺服电机、连接杆、固定杆和毛刷，能够对反应室的内壁进行刮灰，进而保证了反应室内壁的清洁，增加传感器单晶硅的刻蚀质量，通过设置了温度传感器和显示屏，便于使用者得知反应室内的温度，有利于后续的降温处理，通过设置了送风室，在反应室刻蚀工作结束后，能够对反应室内部温度进行降温处理，加快刻蚀的速率。

主权项

1.一种传感器单晶硅刻蚀装置，包括反应室（1），其特征在于，所述反应室（1）的上表面固定安装有伺服电机（2），且反应室（1）的上表面靠近伺服电机（2）的一侧位置处开设有进气口（3），所述进气口（3）的上端嵌入安装有送气管道（4），所述反应室（1）的外侧壁焊接有置放端架（6），所述置放端架（6）的上表面开设有置放槽（7），所述置放槽（7）的内部设置有电磁线圈（8），所述反应室（1）的底端固定安装有支撑腿（10），且反应室（1）的底端靠近中部位置处设置有片架旋转机构（9），所述反应室（1）的内部对应片架旋转机构（9）的上方位置处连接有片架（19），且反应室（1）的底端靠近片架旋转机构（9）的一侧位置处嵌入安装有抽气管道（11），所述抽气管道（11）的一侧连接有真空泵（12）。