[发明专利]高压静电保护器件及等效电路有效
| 申请号： | 201810833863.5 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109148438B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压静电保护器件，在高压P‑LDMOS的漏端设置一触发电路，当电路正常工作时，所述触发电路为关断状态，当有静电来临时，所述触发电路处于开启状态，使得高压P‑LDMOS内的寄生SCR结构被触发开启来泄放静电电荷。本发明公开了一种所述高压静电保护器件的等效电路。本发明能够有效保护内部高压器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 静电 保护 器件 等效电路 | ||
【主权项】：
1.一种高压静电保护器件，其特征在于：在高压P‑LDMOS的漏端设置一触发电路，当电路正常工作时，所述触发电路为关断状态，当有静电来临时，所述触发电路处于开启状态，使得高压P‑LDMOS内的寄生SCR结构被触发开启来泄放静电电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
