[发明专利]高压静电保护器件及等效电路

权利要求书

1.一种高压静电保护器件，其特征在于：在高压P-LDMOS的漏端设置一触发电路，当电路正常工作时，所述触发电路为关断状态，当有静电来临时，所述触发电路处于开启状态，使得高压P-LDMOS内的寄生SCR结构被触发开启来泄放静电电荷；

所述SCR结构由在P-LDMOS的漏极端插入N型扩散区形成，漏极端P型扩散区通过一电阻接地，同时通过一电容接到栅极端，N+区接地；栅极端与源极端，对应阱电位连出端共接。

2.如权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于：所述触发电路由一电阻，一耐高压的电容组成。

3.如权利要求2所述的高压静电保护器件，其特征在于：所述电容由高压P-LDMOS的栅极电容来形成。

4.如权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于：所述触发电路由一电阻，一高压二极管组成。

5.如权利要求2或4所述的高压静电保护器件，其特征在于：所述电阻采用多晶硅来形成，或者采用掺杂的扩散电阻来形成。

6.如权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于：高压P-LDMOS的漏极端的P型扩散区的面积根据触发电压的需要进行调整，面积越大，触发电压越低。

7.如权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于：高压P-LDMOS整体置于一硅衬底上方的埋层内。

8.如权利要求1所述的高压静电保护器件，其特征在于：连接电容电阻的P型扩散区化分为多个独立的块状，用于调节触发电压。

9.一种权利要求1所述高压静电保护器件的等效电路，其特征在于：该电路由一P型横向扩散MOS晶体管、一电容、一PNP晶体管、一NPN晶体管和三个电阻组成；

第一P型横向扩散MOS晶体管的源极、栅极和衬底、第一电容的一端、第一PNP晶体管的发射极和第二电阻的一端与电源电压端VDD相连接，第一电容的另一端与第一P型横向扩散MOS晶体管的漏极、第一电阻的一端、第一PNP晶体管的集电极、第三电阻的一端和第一NPN晶体管的基极相连接，第二电阻的另一端与第一PNP晶体管的基极和第一NPN晶体管的集电极相连接，第一电阻、第三电阻的另一端和第一NPN晶体管的发射极接地GND；其中，第一电阻和第一电容组成了触发电路，第二电阻为寄生的高压N型阱电阻，第三电阻为寄生的高压P型阱电阻。

10.一种权利要求1所述高压静电保护器件的等效电路，其特征在于：该电路由一P型横向扩散MOS晶体管、一PNP晶体管、一NPN晶体管和三个电阻组成；

第一P型横向扩散MOS晶体管的源极、栅极和衬底、第一PNP晶体管的发射极和第二电阻的一端与电源电压端VDD相连接，第一P型横向扩散MOS晶体管的漏极、第一电阻的一端、第一PNP晶体管的集电极、第三电阻的一端和第一NPN晶体管的基极相连接，第二电阻的另一端与第一PNP晶体管的基极和第一NPN晶体管的集电极相连接，第一电阻、第三电阻的另一端和第一NPN晶体管的发射极接地GND；其中，第一P型横向扩散MOS晶体管和第一电阻组成了触发电路，第二电阻为寄生的高压N型阱电阻，第三电阻为寄生的高压P型阱电阻。

11.一种权利要求1所述高压静电保护器件的等效电路，其特征在于：该电路由一P型横向扩散MOS晶体管、一电容、一PNP晶体管、一NPN晶体管和两个电阻组成；

第一P型横向扩散MOS晶体管的源极、栅极和衬底、第一电容的一端、第一PNP晶体管的发射极和第二电阻的一端与电源电压端VDD相连接，第一电容的另一端与第一P型横向扩散MOS晶体管的漏极、第一PNP晶体管的集电极、第三电阻的一端和第一NPN晶体管的基极相连接，第二电阻的另一端与第一PNP晶体管的基极和第一NPN晶体管的集电极相连接，第三电阻的另一端和第一NPN晶体管的发射极接地GND；其中第一P型横向扩散MOS晶体管、第一电容和第三电阻组成了触发电路，第二电阻为寄生的高压N型阱电阻，第三电阻为寄生的高压P型阱电阻。