[发明专利]处理衬底的方法有效
申请号: | 201810826147.4 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN109309047B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 卡尔·海因茨·普利瓦西尔;星野仁志;古田健次 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 黄纶伟;王万影 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法,该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b),其中,衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20),该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤:从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB),其中,在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下,脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。 | ||
搜索关键词: | 处理 衬底 方法 | ||
【主权项】:
1.一种处理衬底(2)的方法,该衬底具有第一表面(2a)和与所述第一表面(2a)相反的第二表面(2b),其中,所述衬底(2)在所述第一表面(2a)上具有器件区域(20),该器件区域具有由多条分割线(22)分隔开的多个器件(21);所述衬底(2)在从所述第一表面(2a)朝向所述第二表面(2b)的方向上具有100μm或更大的厚度;并且所述方法包括以下步骤:从所述第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的所述衬底(2)施加脉冲激光束(LB),其中,所述衬底(2)由对于所述脉冲激光束(LB)透明的材料制成,并且在所述脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从所述第一表面(2a)朝向所述第二表面(2b)的方向与所述第一表面(2a)隔开距离处的情况下,所述脉冲激光束(LB)至少在沿着各个所述分割线(22)的多个位置被施加于所述衬底(2),以便沿着各个所述分割线(22)在所述衬底(2)中形成多个改性区域(23);以及在所述衬底(2)中形成所述改性区域(23)之后研磨所述衬底(2)的所述第二表面(2b),以调节衬底厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810826147.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:形成钴接触模组的方法及藉此形成的钴接触模组
- 下一篇:半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造