[发明专利]一种沟槽型MOS晶体管、其制备方法和包含其的电子装置在审
| 申请号： | 201810822227.2 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109065625A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 吴冬冬 | 申请（专利权）人： | 七色堇电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知义律师事务所 31304 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管，其制备在衬底上，该MOS晶体管的沟槽分为两段：第一段沟槽和第二段沟槽，第一段沟槽内和第二段沟槽内分别填充第一栅极材料和第二栅极材料，第一栅极材料和第二栅极材料由栅极绝缘层实现物理上隔离，MOS晶体管的栅极金属从第一栅极材料上引出。本发明实施例的结构，通过在沟槽底部埋入栅极材料，以此来降低栅极和源极之前的寄生电容。本发明还公开一种沟槽型MOS晶体管的制备方法和一种电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极材料 沟槽型MOS晶体管 制备 电子装置 栅极绝缘层 寄生电容 栅极金属 衬底 两段 埋入 源极 填充 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型MOS晶体管，制备在衬底上，其特征在于，所述MOS晶体管的沟槽分为两段：第一段沟槽和第二段沟槽，所述第一段沟槽内和第二段沟槽内分别填充第一栅极材料和第二栅极材料，所述第一栅极材料和所述第二栅极材料由栅极绝缘层实现物理上隔离，所述MOS晶体管的栅极金属从所述第一栅极材料上引出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于七色堇电子科技（上海）有限公司，未经七色堇电子科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810822227.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
