[发明专利]前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201810805363.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN109411386B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李昭荣;李现宰;金益秀;李章熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且用于储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。 | ||
| 搜索关键词： | 供应 单元 处理 系统 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种前体供应单元，所述前体供应单元包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且能够储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体，其中，所述内部容器包括支撑膜，所述支撑膜支撑所述前体源并且具有对于所述载气和所述前体而言可渗透的孔，并且其中，所述支撑膜提供由所述外部容器的内底部和所述支撑膜的底表面之间的第一内部空间限定的前体通道空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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