[发明专利]前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种前体供应单元，所述前体供应单元包括：

外部容器；

内部容器，设置在所述外部容器中并且能够储存前体源；

具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及

具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体，

其中，所述内部容器包括支撑膜，所述支撑膜支撑所述前体源并且具有对于所述载气和所述前体而言可渗透的孔，并且

其中，所述支撑膜提供由所述外部容器的内底部和所述支撑膜的底表面之间的第一内部空间限定的前体通道空间。

2.根据权利要求1所述的前体供应单元，其中，所述支撑膜包括多孔氧化铝、多孔二氧化钛或多孔氧化锆。

3.根据权利要求1所述的前体供应单元，其中，所述注入口和所述排放口设置在所述支撑膜与所述外部容器的内底部之间。

4.根据权利要求3所述的前体供应单元，其中，所述注入口设置为与所述外部容器的所述内底部相邻，并且

所述排放口相邻于所述支撑膜设置。

5.根据权利要求1所述的前体供应单元，其中，所述支撑膜被设置成将限定在所述内部容器中且在所述前体源上的源消耗空间与所述前体通道空间分离。

6.根据权利要求5所述的前体供应单元，其中，所述内部容器包括在所述支撑膜上覆盖所述前体源的上盖，并且

所述源消耗空间是限定在所述前体源的顶表面和所述上盖的内部顶表面之间的第二内部空间。

7.根据权利要求1所述的前体供应单元，所述前体供应单元还包括设置在所述外部容器外部的外部加热器。

8.根据权利要求7所述的前体供应单元，所述前体供应单元还包括设置在所述外部容器中的内部加热器。

9.根据权利要求8所述的前体供应单元，其中，所述内部加热器包括设置在所述支撑膜的顶表面上的上加热元件。

10.根据权利要求9所述的前体供应单元，其中，所述内部加热器还包括设置在所述支撑膜的底表面上的下加热元件。

11.一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：

包括基座的腔室，被配置为接纳基板；

前体供应单元，将前体供应到所述基板上；以及

载气供应单元，将载气供应到所述前体供应单元中，所述载气用于运载所述腔室中的所述前体，

其中，所述前体供应单元包括：

外部容器；

内部容器，设置在所述外部容器中并且能够储存前体源；

具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及

具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气以及所述前体，

其中，所述内部容器包括支撑膜，所述支撑膜支撑所述前体源并且具有对于所述载气和所述前体而言能渗透的孔，并且

其中，所述支撑膜提供由所述外部容器的内底部和所述支撑膜的底表面之间的第一内部空间限定的前体通道空间。

12.根据权利要求11所述的基板处理系统，所述基板处理系统还包括：

第一气体线路，将所述前体供应单元连接到所述腔室；以及

第一阀，与所述第一气体线路连接，以控制所述前体和所述载气的流量，

其中，所述气体排放线路连接到所述第一阀。

13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中，所述第一阀设置在所述外部容器的第一侧处，并且

所述气体排放线路设置在所述内部容器的第一侧表面与所述外部容器的第一侧表面之间，并且从所述第一阀延伸到所述支撑膜的底表面。