[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板有效
| 申请号： | 201810797086.3 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN109037348B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 夏青;柴立 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，该制备方法包括：在衬底基板上形成图案化的栅极层；在图案化的栅极层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；通过干法刻蚀在半导体层上形成沟道区；在半导体层上制备第一保护层及源漏层，其中源漏层的形成采用湿法刻蚀。通过上述方式，本申请能够解决薄膜晶体管沟道区长度的设计瓶颈，提升薄膜晶体管器件的充电率，优化产品显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上形成图案化的栅极层；在所述图案化的栅极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；通过干法刻蚀在所述半导体层上形成沟道区；在所述半导体层上制备第一保护层及源漏层，其中所述源漏层的形成采用湿法刻蚀。
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