[发明专利]一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810790140.1 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109037327A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄火林;孙仲豪;李飞雨;曹亚庆;陶鹏程 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 116023 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法，属于半导体器件领域。技术要点是在半导体衬底上外延生长特殊结构GaN基材料，所述本征GaN层中埋入局部电流阻挡层，保留纵向导通电流沟道窗口，在栅电极一侧，所述AlGaN势垒层与所述本征GaN层形成台阶，所述本征GaN层台阶上设置有源电极，所述栅电极和源电极之间用介质层隔开。本专利通过插入局部电流阻挡层来调节器件内部pn结耗尽区分布，有效阻挡和减小器件关态下的纵向泄漏电流，而保留纵向导通电流沟道窗口，能保证器件具有良好的开态导通特性，降低开关过程功率损耗；对比传统横向HEMT器件，该器件可以实现常关型操作、具有稳定的阈值电压，同时具有更低的开态导通电阻以及关态泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 局部电流 阻挡层 本征GaN层 导通电流 功率器件 栅极结构 源电极 栅电极 沟道 开态 制备 半导体器件领域 关态泄漏电流 导通电阻 导通特性 调节器件 功率损耗 技术要点 开关过程 外延生长 泄漏电流 阈值电压 耗尽区 介质层 保留 衬底 隔开 关态 减小 埋入 半导体 阻挡 保证 | ||
【主权项】：
1.一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件，其特征在于，在半导体衬底上依次生长材料缓冲层、本征GaN层和AlGaN势垒层，所述本征GaN层中埋入局部电流阻挡层，保留纵向导通电流沟道窗口，所述AlGaN势垒层上设置有漏电极和栅电极，在栅电极一侧，所述AlGaN势垒层与所述本征GaN层形成台阶，所述本征GaN层台阶上设置有源电极，所述栅电极和源电极之间用介质层隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810790140.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
