[发明专利]一种晶硅电池的分步式磷掺杂方法

摘要

本发明属于太阳能电池制造技术领域，涉及一种晶硅电池的分步式磷掺杂方法，即一次耗尽扩散结合二次高浓度浅层扩散及返刻方法。通过控制氧气流量、氮气流量和三氯氧磷流量在p型硅衬底上进行第一次低温磷源沉积，然后经过长时间的高温推进，耗尽磷硅玻璃里的磷，实现低表面浓度层n⁺，第二次在无磷玻璃上沉积、推进提高表面浓度，形成很薄的高浓度层n⁺⁺，可以利用返刻方式很快被刻蚀掉。该方法可以独立精确控制不同区域磷掺杂分布，以保证非电极区具有低掺杂浓度，较低的复合电流，从而保证较高的开路电压；而电极区具有高掺杂浓度，与金属电极接触形成良好的欧姆接触，保证填充因子不受损失，从而整体提升电池的光电转换性能。

主权项

1.一种晶硅电池的分步式磷掺杂方法，其特征在于：所述掺杂方法为一次耗尽扩散结合二次高浓度浅层扩散及返刻方法，具体为：控制氧气流量、氮气流量和三氯氧磷的流量在p型硅衬底上进行第一次低温磷源沉积，经过长时间的高温推进，耗尽磷硅玻璃里的磷，完成一次耗尽扩散，形成低表面浓度层n⁺；然后在无磷成分的玻璃上第二次低温沉积高浓度磷源，经过第二次推进提高表面浓度，形成高浓度层n⁺⁺，最后通过化学返刻刻蚀掉没有被保护的非电极区部分的高浓度层。