[发明专利]一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810783299.0 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN109053812B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张弛;钱军;谭倩;李璐 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C07F15/00 | 分类号： | C07F15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于激光防护材料领域，公开了一种通过金属铱二聚体与5,10,15‑三苯基‑20‑(4‑吡啶基)卟啉配位连接形成的非线性光学晶体材料及其制备方法，该晶体材料具有优秀的非线性吸收性能。本发明主要针对目前铱配合物在激光防护方面存在的性能不足与溶解性差等缺点，通过使用卟啉作为主要配体来增大其电子离域，从而改善其非线性光学性能。本发明通过配位效应将含金属铱二聚体与5,10,15‑三苯基‑20‑(4‑吡啶基)卟啉配位形成有机‑无机杂化功能配合物，然后在通过扩散法得到最终的晶体材料。本发明的复合材料比单一的有机或无机材料具有更好的非线性光学性能，同时利用组分间的协同效应也会使杂化功能材料具有比其单一材料更加突出的结构特性，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 吡啶 卟啉 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含金属铱‑单吡啶基卟啉晶体材料，其特征在于，由金属铱二聚体和5,10,15‑三苯基‑20‑(4‑吡啶基)卟啉配位而来的，所述金属铱二聚体通过氯桥断裂而产生的配位点和5,10,15‑三苯基‑20‑(4‑吡啶基)卟啉上的活性位点配位，再由扩散法得到一种具有三维结构的晶体；在532nm、4ns激光辐照下具有非线性光学吸收效应，归一化透射率达到0.63，晶体的结构式为：![]()
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