[发明专利]一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料，其特征在于，由金属铱二聚体和5,10,15-三苯基-20-(4-吡啶基)卟啉配位而来的，所述金属铱二聚体通过氯桥断裂而产生的配位点和5,10,15-三苯基-20-(4-吡啶基)卟啉上的活性位点配位，再由扩散法得到一种具有三维结构的晶体；在532nm、4ns激光辐照下具有非线性光学吸收效应，归一化透射率达到0.63，晶体的结构式为：

2.如权利要求1所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：制备金属铱二聚体，备用；

步骤2：制备5,10,15-三苯基-20-(4-吡啶基)卟啉，备用；

步骤3：将步骤1与步骤2所得的产物加入到反应瓶中，以二氯己烷与甲醇的混合溶剂作为反应溶剂，加入六氟磷酸钾，氮气保护下加热回流反应，反应结束后，通过柱层析分离得到铱配合物固体；

步骤4：对所得到的铱配合物固体进行分散培养：

将铱配合物固体溶于二氯甲烷中，在其上缓慢滴加缓冲液，然后再在形成的缓冲层上缓慢滴加正己烷，分散培养得到铱配合物晶体，即含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料。

3.如权利要求2所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，金属铱二聚体与5,10,15-三苯基-20-(4-吡啶基)卟啉的摩尔比为1:2。

4.如权利要求2所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，六氟磷酸钾与金属铱二聚体的摩尔比为1:1。

5.如权利要求2所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述二氯己烷与甲醇的混合溶剂中，二氯己烷与甲醇的体积比为2:1。

6.如权利要求2所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，加热温度为75～95℃，回流反应时间为24小时。

7.如权利要求2所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤4中，铱配合物固体：二氯甲烷：缓冲液：正己烷的用量比例为1mmol：1mL：1mL：2mL，分散培养的时间为一周。

8.如权利要求2或7所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤4中，所述的缓冲液为二氯甲烷和正己烷以1:1的比例混合制备而成。

9.如权利要求1所述的一种含金属铱-单吡啶基卟啉晶体材料作为非线性吸收材料的应用，其特征在于，所述非线性吸收材料用于光学敏感器件和人眼的激光防护。