[发明专利]用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法

摘要

本公开的实施例涉及一种用于制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法。侧向绝缘的集成电路芯片从半导体晶圆制得。外围沟槽被形成在晶圆中，所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片。所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度。外围沟槽通过重复下列相继步骤的过程而形成：a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻；以及b)使用八氟环丁烷等离子体进行钝化。在完成形成所述外围沟槽的步骤时，所述外围沟槽的侧向壁被聚氟乙烯的绝缘层所覆盖。在所述晶圆的较低表面上执行减薄步骤，直到到达所述外围沟槽的底部。所述绝缘层不被移除。

主权项

1.一种用于从半导体晶圆制造侧向绝缘的集成电路芯片的方法，包括下列相继的步骤：形成外围沟槽，所述外围沟槽侧向地界定待形成的所述集成电路芯片，其中所述外围沟槽的深度大于或等于所述集成电路芯片的期望最终厚度，其中形成包括重复下列相继的步骤：a)使用六氟化硫等离子体进行离子蚀刻，以形成外围沟槽部；以及b)使用八氟环丁烷等离子体钝化所述外围沟槽部，使得在完成形成的步骤时，所述外围沟槽的侧向壁被由聚氟乙烯制成的绝缘层覆盖；以及在不执行移除所述绝缘层的先前步骤的情况下，经由下表面来减薄所述半导体晶圆，直到到达所述外围沟槽的底部。