[发明专利]浅沟槽隔离台阶高度稳定性测量方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离台阶高度稳定性测量方法，包括：将离子注入层光掩模板图案转移到没有生长薄膜的晶圆上；设定为基准条件；制作2n片含有基底图形的晶圆，量取各台阶高度；将离子注入层光掩模板图案转移到含有浅沟槽基底的晶圆上，测得各图形线宽；计算出各高台高度变化对应线宽变化的比值；线性拟合比值，获得相关比值系数α；判断是否为基准曝光条件偏移；如果为基准曝光条件偏移导致的线宽变化，则重新校准基准曝光条件；如果基准曝光条件未发生偏移，则通过公式H＝α*CD计算出相应台阶高度变化量。本发明用于在线监测浅沟槽隔离台阶高度的稳定性及其变化量，有效解改善了常规方法光学测量模型失真导致的光学误测量。

主权项

1.一种浅沟槽隔离台阶高度稳定性测量方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将离子注入层光掩模板图案转移到没有生长薄膜的晶圆上；2)测量获得基准图形线宽，找到最佳曝光条件，并设定为基准曝光条件；3)制作2n片含有基底图形的晶圆，基底表现为浅沟槽隔离台阶高度差异，量取各浅沟槽台阶高度S1，S2，……Sn，n为自然数；4)将离子注入层光掩模板图案转移到含有浅沟槽基底的晶圆上，同时测得各图形线宽A1，A2，……An；5)通过公式△CDn/△SHn计算出各高台高度变化对应线宽变化的比值；△CD是图形线宽变化量，△SH是台阶高度变化量；6)线性拟合比值，获得相关比值系数α；7)在线监控产品线宽，测量经过离子注入光刻工艺层的晶圆，当测得的线宽变化大于第一阈值时，判断是否为基准曝光条件偏移；如果为基准曝光条件偏移导致的线宽变化，则重新校准基准曝光条件；如果基准曝光条件未发生偏移，通过公式H＝α*CD计算出相应台阶高度变化量，CD是图形线宽。