[发明专利]SRAM版图的OPC修正方法有效

专利信息
申请号: 201810768912.1 申请日: 2018-07-13
公开(公告)号: CN109031880B 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 陈燕鹏;赵璇;于世瑞 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦天雷
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种针对SRAM版图的OPC修正方法,将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域,通过Calibre pxOPC工具对SRAM版图的重复单元截图进行修正,得到SRAM最小重复单元的掩模板图形,使用Calibre Pattern Match工具将SRAM最小重复单元的掩模板图形匹配添加到SRAM版图中间区域,之后对SRAM版图的过渡区域和边界区域进行OPC修正,得到SRAM版图最终的掩模板图层。该方法可以大大缩减OPC运算时间,且保证了SRAM版图中间重复单元区域的掩模板尺寸的一致性。
搜索关键词: sram 版图 opc 修正 方法
【主权项】:
1.一种SRAM版图的OPC修正方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域;中间区域,SRAM版图中重复单元布图的区域;过渡区域,自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度的区域;边界区域,SRAM版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域;2)对SRAM版图中重复单元截图进行pxOPC修正,获得最小重复单元掩模板;3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个SRAM版图最小重复单元上形成中间掩模板;4)对过渡区域进行OPC修正获得过渡掩模板;5)对边界区域进行OPC修正获得边界掩模板;6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成SRAM版图膜板。
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