[发明专利]SRAM版图的OPC修正方法有效
申请号: | 201810768912.1 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN109031880B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 陈燕鹏;赵璇;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种针对SRAM版图的OPC修正方法,将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域,通过Calibre pxOPC工具对SRAM版图的重复单元截图进行修正,得到SRAM最小重复单元的掩模板图形,使用Calibre Pattern Match工具将SRAM最小重复单元的掩模板图形匹配添加到SRAM版图中间区域,之后对SRAM版图的过渡区域和边界区域进行OPC修正,得到SRAM版图最终的掩模板图层。该方法可以大大缩减OPC运算时间,且保证了SRAM版图中间重复单元区域的掩模板尺寸的一致性。 | ||
搜索关键词: | sram 版图 opc 修正 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SRAM版图的OPC修正方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域;中间区域,SRAM版图中重复单元布图的区域;过渡区域,自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度的区域;边界区域,SRAM版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域;2)对SRAM版图中重复单元截图进行pxOPC修正,获得最小重复单元掩模板;3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个SRAM版图最小重复单元上形成中间掩模板;4)对过渡区域进行OPC修正获得过渡掩模板;5)对边界区域进行OPC修正获得边界掩模板;6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成SRAM版图膜板。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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