[发明专利]SRAM版图的OPC修正方法有效
| 申请号： | 201810768912.1 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109031880B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈燕鹏;赵璇;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sram 版图 opc 修正 方法 | ||
1.一种SRAM版图的OPC修正方法，其用于关键尺寸在22nm及以下SRAM版图的OPC修正，其特征在于，包括以下步骤：
1）将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域；
中间区域，SRAM版图中重复单元布图的区域；
过渡区域，自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度的区域；
边界区域，SRAM版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域；
2）对SRAM版图中重复单元截图进行pxOPC修正，截取SRAM版图部分至少包括5*5个SRAM版图最小重复单元，获得最小重复单元掩模板；
3）将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个SRAM版图最小重复单元上形成中间掩模板；
4）对过渡区域进行OPC修正获得过渡掩模板；
5）对边界区域进行OPC修正获得边界掩模板；
6）将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成SRAM版图膜板；
其中，所述预设宽度为大于5个最小重复单元尺寸。
2.如权利要求1所述的SRAM版图的OPC修正方法，其特征在于：实施步骤2）时，截取SRAM版图的一部分进行pxOPC修正，获取SRAM版图中最小重复单元的最小重复单元掩模板。
3.如权利要求1所述的SRAM版图的OPC修正方法，其特征在于：实施步骤2）时，截取SRAM版图中间区域的一部分进行pxOPC修正，获取SRAM版图中最小重复单元的最小重复单元掩模板。
4.如权利要求2所述的SRAM版图的OPC修正方法，其特征在于：通过Calibre PatternMatch软件进行最小重复单元查找和匹配。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
