[发明专利]SRAM版图的OPC修正方法

说明书

本发明提供一种针对SRAM版图的OPC修正方法，将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域，通过Calibre pxOPC工具对SRAM版图的重复单元截图进行修正，得到SRAM最小重复单元的掩模板图形，使用Calibre Pattern Match工具将SRAM最小重复单元的掩模板图形匹配添加到SRAM版图中间区域，之后对SRAM版图的过渡区域和边界区域进行OPC修正，得到SRAM版图最终的掩模板图层。该方法可以大大缩减OPC运算时间，且保证了SRAM版图中间重复单元区域的掩模板尺寸的一致性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种关键尺寸在22nm及以下SRAM版图的OPC(光学邻近效应矫正)修正方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，器件关键尺寸越来越小，工艺节点达到16纳米或14纳米及以下时，一般都采用将一层版图拆分成多层，光刻工艺进行多次曝光的方法，用以解决DUV光刻机光源波长达到极限的限制。工艺节点在20纳米或22纳米时，对于未使用多层拆分的版图的OPC修正则遇到的是前所未有的难度，版图中的线宽和间距均是机台所能承受的极限值，所以OPC的难度是非常巨大的。

Calibre软件的pxOPC产品经常用来解决OPC在修正过程中遇到的一些问题，诸如图形断开，桥连，因掩模板规则限制而无法修到目标等问题。pxOPC主要的特点是将掩模板层中图形的分段设置得很小，且会添加合理的非规则形状的亚显影辅助图形。所以pxOPC修正的过程极其复杂，且时间较久，一般只用来对版图的小部分截图进行运算，不适宜进行完整的版图运算。所以常规OPC方法在遇到难以修正的结构时，往往通过借鉴pxOPC的结果作为参考，调整掩模板的分段和结构以及优化亚显影辅助图形等方法进行修正，但是需要大幅修改OPC脚本才能使得修正得到的掩模板形状的结果与pxOPC运算得到的形状接近。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种适用于关键尺寸在22nm及以下工艺，能节约运算修改时间，提高掩模板生成速度的SRAM版图的OPC修正方法。

为解决上述技术问题，本发明提供一种SRAM版图的OPC修正方法，包括以下步骤：

1)将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域；

中间区域，SRAM版图中重复单元布图的区域；

过渡区域，自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度的区域；

边界区域，SRAM版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域；

2)对SRAM版图中重复单元截图进行pxOPC修正获得最小重复单元掩模板；

3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个SRAM版图最小重复单元上形成中间掩模板；

4)对过渡区域进行OPC修正获得过渡掩模板；

5)对边界区域进行OPC修正获得边界掩模板；

6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成SRAM版图膜板。

其中，所述预设宽度为大于5～10个最小重复单元尺寸。

其中，实施步骤2)时，截取SRAM版图的一部分进行pxOPC修正，获取SRAM版图中最小重复单元的最小重复单元掩模板。截取SRAM版图部分至少包括5*5个SRAM版图最小重复单元。

其中，实施步骤2)时，截取SRAM版图中间区域的一部分进行pxOPC修正，获取SRAM版图中最小重复单元的最小重复单元掩模板。截取SRAM版图部分至少包括5*5个SRAM版图最小重复单元。

其中，通过Calibre Pattern Match软件进行最小重复单元查找和匹配。