[发明专利]可变电阻存储器装置及其形成方法

摘要

提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。

主权项

1.一种可变电阻存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围区域，所述单元区域包括与所述外围区域接触的边界区域；多条第一导电线，其在所述衬底上在第一方向上延伸；多条第二导电线，其在第二方向上延伸并且穿过所述多条第一导电线；多个可变电阻结构，所述多个可变电阻结构中的每一个位于所述多条第一导电线和所述多条第二导电线的多个交叉点中的一个交叉点处；和位于所述多条第一导电线和所述多个可变电阻结构之间的多个底电极，其中，所述多条第一导电线中的一条第一导电线与所述多个可变电阻结构中的位于所述边界区域并且与所述多条第一导电线中的所述一条第一导电线重叠的一个可变电阻结构电绝缘。