[发明专利]可变电阻存储器装置及其形成方法

说明书

提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年7月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0089796的优先权，其公开内容通过引用整体地并入本文。

技术领域

本发明构思一般涉及电子领域，更具体地，涉及一种可变电阻存储器装置以及形成其的方法。

背景技术

半导体装置可以分为存储器装置和逻辑装置。存储器装置可以存储数据并且可以分为易失性存储器装置和非易失性存储装置。易失性存储装置在供电中断时会丢失所存储的数据，非易失性存储器即使在供电中断时也可保持所存储的数据。

已经开发了下一代半导体存储器装置(例如，铁电随机存取存储器(FRAM)装置、磁性随机存取存储器(MRAM)装置、以及相变随机存取存储器(PRAM)装置)来提供高性能且低功耗的半导体存储器装置。这些下一代半导体存储器装置的材料可以具有根据施加至其的电流或电压而变化的电阻值，并且可以即使在电流或电压中断时也保持它们的电阻值。

发明内容

本发明构思的一些实施例可以提供具有改进可靠性的可变电阻存储器装置以及形成其的方法。

本发明构思的一些实施例还可以提供具有改进电特性的可变电阻存储器装置以及形成其的方法。

本发明构思的目的不限于上述目的，本领域技术人员根据下面的描述将清楚地理解上面未提及的其他目的。

根据本发明构思的一些实施例，可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其具有单元区域和外围区域；多条第一导电线，其在所述衬底上在第一方向上延伸；多条第二导电线，其在第二方向上延伸并且穿过所述多条第一导电线；以及多个可变电阻结构。所述多个可变电阻结构中的每一个可以位于所述多条第一导电线和所述多条第二导电线的多个交叉点中的一个交叉点处。可变电阻存储器装置还可以包括位于所述多条第一导电线和所述多个可变电阻结构之间的多个底电极。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域。所述多条第一导电线中的一条第一导电线可以与所述多个可变电阻结构中的位于所述边界区域并且与所述多条第一导电线中的该一条第一导电线重叠的一个可变电阻结构电绝缘。

根据本发明构思的一些实施例，可变电阻存储器装置可以包括：导电线，其在衬底上延伸；以及多个可变电阻结构，其包括所述多个可变电阻结构中的第一个可变电阻结构和所述多个可变电阻结构中的第二个可变电阻结构，所述第一个可变电阻结构和所述第二个可变电阻结构均与所述导电线重叠。所述多个可变电阻结构中的所述第一个可变电阻结构可以与所述导电线电绝缘，所述多个可变电阻结构中的所述第二个可变电阻结构可以构造为与所述导电线电连接。

根据本发明构思的一些实施例，可变电阻存储器装置可以包括位于衬底上的多个可变电阻结构，并且所述多个可变电阻结构可以分别包括下表面。可变电阻存储器装置还可以包括位于所述衬底和所述多个可变电阻结构之间的绝缘层。所述多个可变电阻结构中的第一个可变电阻结构可包括所述下表面中的第一个下表面，并且所述下表面中的整个所述第一个下表面与所述绝缘层接触。