[发明专利]一种光电子半导体硅片脱胶工艺

摘要

本发明公开了一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：（1）预清洗后放入表面活性剂中超声清洗（2）温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，清洗完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；（3）置于表面活性剂热水槽中浸泡浸泡过程中辅以超声，浸泡完成后使用高压、常温的清水进行喷淋操作。经过实验，使用发明方法，光电子半导体硅片的脱胶率高达97.9%以上，而使用现有技术的脱胶率仅为94.8%，可见本发明方法的脱胶效果更好。

主权项

1.一种光电子半导体硅片脱胶工艺，其特征在于，具体方法如下：（1）将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为2%‑3%的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55‑65kHz，温度为42‑48℃，超声时间为15‑20分钟；（2）将步骤（1）处理好的半导体硅片使用35‑40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；（3）将步骤（2）所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92‑95℃热水槽中浸泡90‑120分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15‑30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15‑0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间200‑250秒，即完成脱胶。