[发明专利]一种光电子半导体硅片脱胶工艺

说明书

本发明公开了一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：（1）预清洗后放入表面活性剂中超声清洗（2）温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，清洗完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；（3）置于表面活性剂热水槽中浸泡浸泡过程中辅以超声，浸泡完成后使用高压、常温的清水进行喷淋操作。经过实验，使用发明方法，光电子半导体硅片的脱胶率高达97.9%以上，而使用现有技术的脱胶率仅为94.8%，可见本发明方法的脱胶效果更好。

技术领域

本发明涉及光电子材料技术领域，具体是一种光电子半导体硅片脱胶工艺。

背景技术

半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

传统的脱胶工艺一般是将硅片浸泡在40℃以上的热水槽中，浸泡清洗达到脱胶效果，但是这种方法脱胶率不高且容易造成硅片损毁。

发明内容

为了解决上述背景技术中提出的问题，本发明提供了一种光电子半导体硅片脱胶工艺。

一种光电子半导体硅片脱胶工艺，具体方法如下：

(1)将半导体硅片放置在装满自来水的槽中进行预清洗，清洗完成后再放入添加有体积百分比为2％-3％的表面活性剂的超声清洗槽中，超声强度为55-65kHz，温度为42-48℃，超声时间为15-20分钟；

(2)将步骤(1)处理好的半导体硅片使用35-40℃温水进行喷淋，然后使用第一酸液进行一次清洗，一次清洗进行完成后再使用清水喷淋、洗净后烘干，再使用第二酸液进行二次清洗，二次清洗完成后使用清水重复喷淋、烘干操作，得粗脱胶半导体硅片；

(3)将步骤(2)所述粗脱胶半导体硅片再置于添加有表面活性剂的92-95℃热水槽中浸泡90-120分钟，浸泡过程中辅以超声，超声强度为15-30kHz，每隔90秒进行超声处理30秒，浸泡完成后使用压力为0.15-0.18MPa、常温的清水进行喷淋操作，喷淋时间200-250秒，即完成脱胶。

进一步的，步骤(2)所述第一酸液，由氢氟酸、水按质量比1:100-120在15-18℃下均匀混合后制得。

进一步的，步骤(2)所述第二酸液，由草酸溶液、氨基硫酸溶液、柠檬酸溶液按质量比1:3:2-4混合后制得。

进一步的，所述草酸溶液，由草酸、水按质量比1:800-850于常温常压下混合后制得。

进一步的，所述氨基硫酸溶液，由氨基硫酸、水按质量比1:500-550于60-65℃下，使用搅拌机200-300r/min均匀搅拌后冷却至室温后制得。

进一步的，所述柠檬酸溶液，由柠檬酸、水按质量比1:1000-1100于常温常压下混合后混合后制得。

进一步的，步骤(3)所述表面活性剂，为阴离子及非离子表面活性剂中的至少一种。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：